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IS61LF12836EC-7.5TQ	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12836EC-7.5TQL	文件：2.40485 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM FEATURES  Internal self-timed write cycle  Individual Byte Write Control and Global Write  Clock controlled, registered address, data and control  Burst sequence control using MODE input  Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining  Common data inputs an 文件：2.40485 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12836EC-7.5TQI	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12836EC-7.5TQL	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12836EC-7.5TQLI	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12836EC-7.5TQLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS61LF12836EC-7.5TQ
功能描述：
静态随机存取存储器 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 36 Sync 静态随机存取存储器
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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