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IS61LF12832EC-6.5B2L	文件：2.40485 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control and Global Write • Clock controlled, registered address, data and control • Burst sequence control using MODE input • Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining • Common data inputs an 文件：2.40485 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12832EC-6.5B2L	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12832EC-6.5B2LI	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12832EC-6.5B2	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12832EC-6.5B2	文件：2.40485 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control and Global Write • Clock controlled, registered address, data and control • Burst sequence control using MODE input • Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining • Common data inputs an 文件：2.40485 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF12832EC-6.5B2I	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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深圳市河锋鑫科技有限公司	IS61LF12836A6.5TQLI	ISSI Integrated Silicon Soluti	22+	100TQFP (14x20)	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IS61LF12836A-6.5TQLI	ISSI	23+	100-TQFP(14x20)	1389	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	IS61LF12836A-6.5TQLI	ISSI	16+	TQFP	2500	进口原装现货/价格优势!	询价
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