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IS61LF102436B-6.5B3L中文资料矽成半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IS61LF102436B-6.5B3L

功能描述

1M x 36, 2M x 18 36 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

文件大小

1.55485 Mbytes

页面数量

33

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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IS61LF102436B-6.5B3L规格书详情

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LF: Vdd 3.3V (+ 5%), Vddq 3.3V/2.5V (+ 5%)

VF: Vdd 2.5V (+ 5%), Vddq 2.5V (+ 5%)

VVF: Vdd 1.8V (+ 5%), Vddq 1.8V (+ 5%)

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-pin PBGA, and 165-

pin PBGA packages

• Lead-free available

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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TQFP100(14x20)
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