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IS61DDB42M36A

DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM

·18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available\n·x18 and x36 configurations available\n·Burst of 2 or Burst of 4\n·Commercial and Industrial Temperature support\n·333MHz speed for QUAD and DDR-II\n·550MHz speed for QUADP and DDR-IIP\n·ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP\n·Long-term Support\n

ISSI

矽成半导体

IS61DDB42M36A

Synchronous pipeline read with late write operation

文件:814.86 Kbytes 页数:31 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61DDB42M36A-300M3L

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61DDB42M36

72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 4) CIO Synchronous SRAMs

文件:669.17 Kbytes 页数:26 Pages

ISSI

矽成半导体

详细参数

  • 型号:

    IS61DDB42M36A

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 72Mb 2Mx36 165ball DDR II Sync 静态随机存取存储器

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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更多IS61DDB42M36A供应商 更新时间2025-10-9 15:46:00