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IS61DDB251236A	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM ·18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available\n·x18 and x36 configurations available\n·Burst of 2 or Burst of 4\n·Commercial and Industrial Temperature support\n·333MHz speed for QUAD and DDR-II\n·550MHz speed for QUADP and DDR-IIP\n·ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP\n·Long-term Support	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB251236A	文件：770.68 Kbytes Page：29 Pages	Fixed 2-bit burst for read and write operations 文件：770.68 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB251236A-250M3L	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61DDB451236A-250M3L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) FBGA-165(15x17)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)
IS61DDP2B21M36A-400M3L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) FBGA-165(15x17)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)

详细参数

型号：
IS61DDB251236A
功能描述：
静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 165ball
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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