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IS61DDB22M36C	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR-II, Common I/O, Separate I/O SRAM ·18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available\n·x18 and x36 configurations available\n·Burst of 2 or Burst of 4\n·Commercial and Industrial Temperature support\n·333MHz speed for QUAD and DDR-II\n·550MHz speed for QUADP and DDR-IIP\n·ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP\n·Long-term Support	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36	文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36A	文件：770.73 Kbytes Page：29 Pages	Common I/O read and write ports 文件：770.73 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB451236A-250M3L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) FBGA-165(15x17)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)
IS61DDP2B21M36A-400M3L	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) FBGA-165(15x17)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)

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更多IS61DDB22M36C供应商更新时间2025-10-12 16:06:00