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IS61C67-L25N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS61C67 is a high speed, low power, 16384-word bgy 1-bit CMOS static RAM. It is fabricated using ISSIs high performance CMOS double metal technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 15ns maximum. 文件：346.83 Kbytes 页数：8 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS61C67-L25N供应商更新时间2025-11-28 15:55:00