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IS61C67-L20N	文件：346.83 Kbytes Page：8 Pages	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

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IS61C67-L20N

文件：346.83 Kbytes

Page：8 Pages

16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION TheISSIIS61C67isahighspeed,lowpower,16384-wordbgy1-bitCMOSstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshighperformanceCMOSdoublemetaltechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas15nsmaximum.

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

ISSI

详细参数

型号：
IS61C67-L20N
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

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