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IS61C67-15N

16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

DESCRIPTION The ISSI IS61C67 is a high speed, low power, 16384-word bgy 1-bit CMOS static RAM. It is fabricated using ISSIs high performance CMOS double metal technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 15ns maximum.

文件:346.83 Kbytes 页数:8 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61DDB451236A-250M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDP2B21M36A-400M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDP2B22M36A-400M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDPB22M18A-400M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

详细参数

  • 型号:

    IS61C67-15N

  • 制造商:

    ISSI

  • 制造商全称:

    Integrated Silicon Solution, Inc

  • 功能描述:

    16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

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更多IS61C67-15N供应商 更新时间2025-11-19 11:10:00