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IS61C6416AL_V01

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES IS61C6416AL and IS64C6416AL • High-speed access time: 12 ns, 15ns • Low Active Power: 175 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typical) CMOS standby IS62C6416AL and IS65C6416AL • High-speed access time: 35 ns, 45ns • Low Active Power: 50 mW (typical) • Low Standby Power: 100 μ

文件:369.43 Kbytes 页数:14 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C64AL-10TLI-TR

TSOPI-28

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDB451236A-250M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDP2B21M36A-400M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDP2B22M36A-400M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS61C6416AL_V01供应商 更新时间2025-11-18 16:18:00