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IS61C512	文件：425.04 Kbytes Page：8 Pages	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：425.04 Kbytes 页数：8 Pages	ICSI	ICSI
IS61C512	文件：300 bytes Page：1 Pages	ASYNCHRONOUS STATIC RAM, High Speed A.SRAM	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C5128AL_V01	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C5128AL-10TLI	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C5128AS	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C5128AS-25HLI	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C5128AS-25QLI	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C5128AS-25TLI	文件：465.42 Kbytes Page：18 Pages	512K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64C5128AL) • High-speed access time: 10ns, 12 ns • Low Active Power: 150 mW (typical) • Low Standby Power: 10 mW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64C5128AS) • High-speed access time: 25ns • Low Active Power: 75 mW (typical) • Low Standby Power: 1 mW (typi 文件：465.42 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61C512-15J	文件：425.04 Kbytes Page：8 Pages	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：425.04 Kbytes 页数：8 Pages	ICSI	ICSI
IS61C512-15JI	文件：425.04 Kbytes Page：8 Pages	64K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：425.04 Kbytes 页数：8 Pages	ICSI	ICSI

详细参数

型号：
IS61C512
功能描述：
x8 SRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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