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IS61C1024AL_V01

128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access time: 12, 15 ns • Low active power: 160 mW (typical) • Low standby power: 1000 μW (typical) CMOS standby • Output Enable (OE) and two Chip Enable (CE1 and CE2) inputs for ease in applications • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compati

文件:589.57 Kbytes 页数:13 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61C256AH-20J

PLCC-28

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

IS61C512-15TI

TSOP

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市赛芯源科技有限公司

IS61C64AL-10TLI-TR

TSOPI-28

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61DDB451236A-250M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS61C1024AL_V01供应商 更新时间2025-12-3 16:01:00