576Mb:x18, x36 RLDRAM 3

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ISSI

矽成半导体

576Mb:x18, x36 RLDRAM 3

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576Mb:x18, x36 RLDRAM 3

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矽成半导体

RLDRAM® 3 Memory

·Reduced cycle time (up to 8ns at 1GHz)\n·Available in different densities providing flexibility for different design requirements\n·Available in wide bus widths (x9, x18, x 36), separate and common I/Os\n·Different voltage supply to reduce power consumption\n·Supports commercial and industrial oper

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矽成半导体

Package：168-LBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：168-LBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：168-LBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc