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IS49NLC18160数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IS49NLC18160

参数属性

IS49NLC18160 封装/外壳为144-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA

功能描述

RLDRAM® 2 Memory

封装外壳

144-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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IS49NLC18160规格书详情

描述 Description

·Reduced cycle time (up to 8ns at 1GHz)
·Available in different densities providing flexibility for different design requirements
·Available in wide bus widths (x9, x18, x 36), separate and common I/Os
·Different voltage supply to reduce power consumption
·Supports commercial and industrial operating temperatures for a wide variety of applications
·Longevity of product availability
·World class factory support

技术参数

  • 产品编号:

    IS49NLC18160-25BI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    DRAM

  • 存储容量:

    288Mb(16M x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    144-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    144-FCBGA(11x18.5)

  • 描述:

    IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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