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IS46TR85120ECL-125KB2LA1	文件：4.68108 Mbytes Page：111 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM with On-Chip ECC FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture • Programmable CAS Latency • Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL- 文件：4.68108 Mbytes 页数：111 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS485E	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-2	SHARPSharp Corporation 夏普上传：深圳市神舟芯电子科技有限公司	SHARP
IS61C256AH-20J	文件：0 bytes Page：0 Pages	PLCC-28	ISSI 矽成半导体上传：深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	ISSI
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IS61C64AL-10TLI-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOPI-28	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)

更多IS46TR85120ECL-125KB2LA1供应商更新时间2025-12-8 10:51:00