IS46TR85120BL-125KBLA2-TR_集成电路(IC) 存储器-ISSI公司

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  • 厂家型号:

    IS46TR85120BL-125KBLA2-TR

  • 制造商:

    ISSI/ISSI公司

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    78-TFBGA

  • 包装:

    托盘

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-23 15:38:00

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原厂料号:IS46TR85120BL-125KBLA2-TR品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

资料说明:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

IS46TR85120BL-125KBLA2-TR是集成电路(IC) > 存储器。制造商ISSI/ISSI公司生产封装78-TFBGA的IS46TR85120BL-125KBLA2-TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    is46tr85120bl-125kbla2-tr

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    ISSI【ISSI公司】详情

  • 厂商全称:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名称:

    ISSI有限公司

  • 资料说明:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IS46TR85120BL-125KBLA2-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3L

  • 存储容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    78-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    78-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI, Integrated Silicon Solut
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78-TWBGA(8x10.5)
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