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IS46TR16256B-093NBLA1	文件：4.19807 Mbytes Page：87 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture 文件：4.19807 Mbytes 页数：87 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS46TR16256B-093NBLA1供应商更新时间2025-11-30 16:30:00