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IS46TR16256A-107MBLA1	文件：3.94166 Mbytes Page：88 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V ● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8n-Bit pre-fetch architecture 文件：3.94166 Mbytes 页数：88 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS46TR16640B-15GBLA2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI FBGA96	ISSI 矽成半导体上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	ISSI
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更多IS46TR16256A-107MBLA1供应商更新时间2025-10-13 15:35:00