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IS46R86400D-6TLA1	文件：1.45655 Mbytes Page：33 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb DDR SDRAM FEATURES • VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V (-6) • VDD and VDDQ: 2.6V ± 0.1V (-5) • SSTL_2 compatible I/O • Double-data rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/ received with data, to be used in capturing data at the receiver • DQS 文件：1.45655 Mbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS46R86400D-6TLA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46R86400D-6TLA1-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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