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IS46DR81280B-3DBLA1

1Gb (x8, x16) DDR2 SDRAM

FEATURES  Clock frequency up to 400MHz  8 internal banks for concurrent operation  4‐bit prefetch architecture  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 and 7  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4, 5 and 6  Write Latency = Read Latency‐1  Programmable Burst Sequence: Sequential

文件:548.81 Kbytes 页数:28 Pages

ISSI

矽成半导体

IS46DR81280B-3DBLA1

Package:60-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46DR81280B-3DBLA1-TR

Package:60-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS46TR16128A-15HBL

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS46TR16128C-15HBLA1

FBGA96

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富芯乐电子科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS46DR81280B-3DBLA1

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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