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IS46DR16640C中文资料1.8V DDR2 SDRAM Automotive数据手册ISSI规格书
IS46DR16640C规格书详情
描述 Description
·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V
·SSTL_18 compatible inputs
·Data masking per byte on Write commands
·Programmable burst length of 4 or 8
·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6
·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes
·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
·ODT (On Die Termination) supported
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS46DR16640C-25DBLA1-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM - DDR2
- 存储容量：
1Gb（64M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
15ns
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
84-TFBGA
- 供应商器件封装：
84-TWBGA（8x12.5）
- 描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2022+ |
6600 |
只做原装,假一罚十,长期供货。 |
询价 | |||
ISSI |
24+ |
BGA84 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Solut |
25+ |
84-TFBGA |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
24+ |
BGA84 |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ISSI |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ISSI |
2223+ |
BGA84 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ISSI/芯成 |
22+ |
BGA84 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
BGA84 |
66500 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
23+ |
BGA84 |
7000 |
询价 | |||
ISSI(美国芯成) |
25+ |
TWBGA-84(8x12.5) |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
