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IS45S32200E-7BLA2

512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES

文件:981.35 Kbytes 页数:59 Pages

ISSI

矽成半导体

IS45S32200E-7BLA2

Package:90-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32200E-7BLA2-TR

Package:90-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS45S32400F-7TLA2

TSOP86

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市粤骏腾电子科技有限公司

IS45VM16320D-75BLA1

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳德田科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS45S32200E-7BLA2

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    64Mb(2M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 105°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

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更多IS45S32200E-7BLA2供应商 更新时间2025-12-4 17:35:00