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IS43TR81280C集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS43TR81280C

参数属性

IS43TR81280C 封装/外壳为78-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA

功能描述

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM

封装外壳

78-TFBGA

文件大小

4.29092 Mbytes

页面数量

89

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 17:30:00

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IS43TR81280C规格书详情

FEATURES

• Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V

• Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V

- Backward compatible to 1.5V

• High speed data transfer rates with system

frequency up to 1066 MHz

• 8 internal banks for concurrent operation

• 8n-bit pre-fetch architecture

• Programmable CAS Latency

• Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL-2

• Programmable CAS WRITE latency (CWL) based

on tCK

• Programmable Burst Length: 4 and 8

• Programmable Burst Sequence: Sequential or

Interleave

• BL switch on the fly

• Auto Self Refresh(ASR)

• Self Refresh Temperature(SRT)

• Refresh Interval:

7.8 μs (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C to 85°C

3.9 μs (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C to 105°C

1.95 μs (8192 cycles/16 ms) Tc= 105°C to 115°C

0.97 μs (8192 cycles/8 ms) Tc= 115°C to 125°C

产品属性

  • 产品编号:

    IS43TR81280CL-107MBL-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR3L

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.283V ~ 1.45V

  • 工作温度:

    0°C ~ 95°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    78-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    78-TWBGA(8x10.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78TWBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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