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IS43TR81280C-125JBLI

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-bit pre-fetch architecture

文件:4.29092 Mbytes 页数:89 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43TR81280C-125JBL

128MX8, 64MX16 1Gb DDR3 SDRAM

FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-bit pre-fetch architecture

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ISSI

矽成半导体

IS45S16100E-7TLA1

TSOP56

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市星佑电子有限公司

IS45S16160D-7BLA2

BGA

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矽成半导体

上传:深圳市星佑电子有限公司

IS45S16160D-7TLA2

TSOP54

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富源半导体有限公司

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更多IS43TR81280C-125JBLI供应商 更新时间2025-11-27 19:00:00