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IS43TR81024B	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.5V DDR3 SDRAM ·Bidirectional differential data strobe\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 4 or 8\n·Programmable CAS Latency\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Driver Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) supported\n·Write Leveling\n·Long-term support	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43TR81024B-125KBLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：78-TFBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS45S16100E-7TLA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP56	ISSI 矽成半导体上传：深圳市星佑电子有限公司	ISSI
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更多IS43TR81024B供应商更新时间2025-11-16 11:01:00