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IS43TR16256ECL	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR3 SDRAM w/ ECC ·Bidirectional differential data strobe\n·Internal Error Correcting Code (ECC) to prevent bit errors\n·Programmable CAS Latency\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Driver Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) supported\n·Write Leveling\n·Long-term support	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43TR16256A	文件：4.04797 Mbytes Page：81 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V ● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8n-Bit pre-fetch architecture 文件：4.04797 Mbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS45S16100E-7TLA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP56	ISSI 矽成半导体上传：深圳市星佑电子有限公司	ISSI
IS45S16160D-7BLA2	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	ISSI 矽成半导体上传：深圳市星佑电子有限公司	ISSI
IS45S16160D-7TLA2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP54	ISSI 矽成半导体上传：深圳市富源半导体有限公司	ISSI

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更多IS43TR16256EC供应商更新时间2025-11-15 8:50:00