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IS43TR16256EC-107NB2LI	文件：4.68108 Mbytes Page：111 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM with On-Chip ECC FEATURES • Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V • Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V • 8 internal banks for concurrent operation • 8n-Bit pre-fetch architecture • Programmable CAS Latency • Programmable Additive Latency: 0, CL-1,CL- 文件：4.68108 Mbytes 页数：111 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43TR16512AL-107MBL	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA96	MICRON 美光上传：深圳市斯普仑科技有限公司	MICRON
IS43TR16512BL-125KBLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA96	ISSI/芯成上传：深圳市富达微科技有限公司	ISSI/芯成
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更多IS43TR16256EC-107NB2LI供应商更新时间2026-7-27 15:05:00