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IS43TR16256A-093NBLI	文件：3.94166 Mbytes Page：88 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V ● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8n-Bit pre-fetch architecture 文件：3.94166 Mbytes 页数：88 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS43TR16256A-093NBLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：96-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-093NBLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：96-TFBGA；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-093NBL	文件：3.94166 Mbytes Page：88 Pages	512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM FEATURES ● Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V ● Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V ● High speed data transfer rates with system frequency up to 1066 MHz ● 8 internal banks for concurrent operation ● 8n-Bit pre-fetch architecture 文件：3.94166 Mbytes 页数：88 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS43TR16256A-093NBLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR3
存储容量：
4Gb（256M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
1.425V ~ 1.575V
工作温度：
-40°C ~ 95°C（TC）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
96-TFBGA
供应商器件封装：
96-TWBGA（9x13）
描述：
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS43TR16256A-093NBLI供应商更新时间2025-10-12 15:38:00

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