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IS43SLASH46R86400D	文件：1.45655 Mbytes Page：33 Pages	16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb DDR SDRAM FEATURES • VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V (-6) • VDD and VDDQ: 2.6V ± 0.1V (-5) • SSTL_2 compatible I/O • Double-data rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/ received with data, to be used in capturing data at the receiver • DQS 文件：1.45655 Mbytes 页数：33 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS43SLASH46R86400D供应商更新时间2025-10-13 15:10:00