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IS43R83200F_V01	文件：763.31 Kbytes Page：32 Pages	8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM FEATURES • VDD and VDDQ: 2.5V ± 0.2V • SSTL_2 compatible I/O • Double-data rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted/ received with data, to be used in capturing data at the receiver • DQS is edge-aligned with data for READs and 文件：763.31 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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