8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

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ISSI

矽成半导体

8Mx32, 16Mx16, 32Mx8 256Mb DDR SDRAM

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DDR SDRAM

·Single supply voltage of 2.5V or 2.6V\n·Standard double-data rate clock timing\n·SSTL_2 compatible inputs\n·Four internal banks with bank controls\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 2, 4, or 8\n·Programmable CAS Latency of 2, 2.5 or 3\n·Auto-Refresh Mode and Se

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矽成半导体

Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：66-TSSOP（szerokość 0，400"，10，16mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc