IS43R16160F-6BLI_集成电路（IC）存储器-ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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1+	¥49.98000

厂家型号：
IS43R16160F-6BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
库存数量：
1
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
60-TFBGA
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-11-17 16:46:00

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原厂料号：IS43R16160F-6BLI品牌：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

资料说明：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

IS43R16160F-6BLI是集成电路（IC） > 存储器。制造商ISSI, Integrated Silicon Solution Inc生产封装60-TFBGA的IS43R16160F-6BLI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
IS43R16160F-6BLI
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

产品属性

类型
描述
产品编号：
IS43R16160F-6BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM - DDR
存储容量：
256Mb（16M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
15ns
电压 - 供电：
2.3V ~ 2.7V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
60-TFBGA
供应商器件封装：
60-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

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