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IS43LD16160B-25BLI

动态随机存取存储器 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT

ISSI

矽成半导体

IS43LD16160B-25BLI

Package:134-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR16320B-6BL

BGA-60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16800F-6BLI

BGA60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43TR16128A-15HBLI

BGA

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS43LD16160B-25BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4

  • 存储容量:

    256Mb(16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TC)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    134-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    134-TFBGA(10x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
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更多IS43LD16160B-25BLI供应商 更新时间2025-12-12 14:24:00