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IS43DR32160C

1.8V DDR2 SDRAM

·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V\n·SSTL_18 compatible inputs\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 4 or 8\n·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) s

ISSI

矽成半导体

IS43DR32160C

4-bit prefetch architecture

文件:1.30129 Mbytes 页数:44 Pages

ISSI

矽成半导体

IS43DR81280B-25DBL

BGA60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16320B-6BL

BGA-60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16800F-6BLI

BGA60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

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更多IS43DR32160C供应商 更新时间2025-11-28 14:58:00