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IS43DR16320E-3DBLI

Package:84-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR16320E-3DBLI-TR

Package:84-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43DR81280B-25DBL

BGA60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16320B-6BL

BGA-60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

IS43LR16800F-6BLI

BGA60

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    IS43DR16320E-3DBLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR2

  • 存储容量:

    512Mb(32M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    84-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    84-TWBGA(8x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IS43DR16320E-3DBLI供应商 更新时间2025-12-13 19:00:00