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IS4346TR16128C	文件：3.49709 Mbytes Page：87 Pages	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM FEATURES  Standard Voltage: VDD and VDDQ = 1.5V ± 0.075V  Low Voltage (L): VDD and VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Backward compatible to 1.5V  High speed data transfer rates with system frequency up to 933 MHz  8 internal banks for concurrent operation  8n-Bit pre-fetch architecture  P 文件：3.49709 Mbytes 页数：87 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS4346TR16128A	文件：3.39371 Mbytes Page：81 Pages	256Mx8, 128Mx16 2Gb DDR3 SDRAM 文件：3.39371 Mbytes 页数：81 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS4346TR16128C供应商更新时间2025-10-12 11:10:00