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IS42VM32160E-6BLI

4M x 32Bits x 4Banks Mobile Synchronous DRAM

文件:885.22 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42VM32160E-6BLI

动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 Mobile SDR

ISSI

矽成半导体

IS42VM32160E-6BLI

Package:90-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42VM32160E-6BLI-TR

Package:90-TFBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

  • 产品编号:

    IS42VM32160E-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - 移动

  • 存储容量:

    512Mb(16M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IS42VM32160E-6BLI供应商 更新时间2025-10-11 14:03:00