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IS42S83200D	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-6TL	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-6TLI	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-75ETL	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-75ETLI	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-7TL	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-7TLI	文件：1.05062 Mbytes Page：63 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM 文件：1.05062 Mbytes 页数：63 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D	文件：300 bytes Page：1 Pages	SDR SDRAM ·Synchronous, with 3.3V power supply\n·LVTTL interface\n·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)\n·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave\n·Self refresh and Auto Refresh modes\n·Random column address every clock cycle\n·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)\n·Burst read/write	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S83200D-6TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S83200D-6TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS42S83200D
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

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