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IS42S83200B-6T	文件：630.29 Kbytes Page：62 Pages	32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS42S83200B-6T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS42S83200B-6TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S83200B-6TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

产品编号：
IS42S83200B-6T
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
256Mb（32M x 8）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
54-TSOP II
描述：
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II

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