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IS42S81600E-6TLI

16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:934.55 Kbytes 页数:61 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S81600E-6TLI

Package:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S81600E-6TLI-TR

Package:54-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S81600E-6TL

16M x 8, 8M x16 128Mb SYNCHRONOUS DRAM

文件:934.55 Kbytes 页数:61 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS42S81600E-6TLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    128Mb(16M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    54-TSOP II

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II

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