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IS42S32400D-6BLI

4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS42S32400D-6B

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS42S32400D-6BL

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS42S32400D-6T

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

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IS42S32400D-6TI

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ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS42S32400D-6TL

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

IS42S32400D-6TLI

4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

北京矽成北京矽成半导体有限公司

详细参数

  • 型号:

    IS42S32400D-6BLI

  • 功能描述:

    动态随机存取存储器 128M(4Mx32) 166MHz S动态随机存取存储器, 3.3v

  • RoHS:

  • 制造商:

    ISSI

  • 数据总线宽度:

    16 bit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 封装/箱体:

    SOJ-42

  • 存储容量:

    16 MB

  • 访问时间:

    50 ns

  • 电源电压-最大:

    7 V

  • 电源电压-最小:

    - 1 V

  • 最大工作电流:

    90 mA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 封装:

    Tube

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