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IS42S32400B-7BLI	文件：624.32 Kbytes Page：60 Pages	4Meg x 32 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedin1Megx32bitx4Banks. FEATURES •Clockfrequency:166,143,125,100MHz •Fullys	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS42S32400B-7T	文件：624.32 Kbytes Page：60 Pages	4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedin1Megx32bitx4Banks. FEATURES •Clockfrequency:166,143,125,100MHz •Fullys	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32400B-7TI	文件：624.32 Kbytes Page：60 Pages	4Megx32128-MBITSYNCHRONOUSDRAM OVERVIEW ISSIs128MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The128MbSDRAMisorganizedin1Megx32bitx4Banks. FEATURES •Clockfrequency:166,143,125,100MHz •Fullys	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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产品属性

产品编号：
IS42S32400B-7BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
128Mb（4M x 32）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
90-TFBGA
供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90TFBGA

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