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IS42S32200E-7BL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：90-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS42S32200E-7TL	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES 文件：981.35 Kbytes 页数：59 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S32200E-7TLI	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES 文件：981.35 Kbytes 页数：59 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S32200E-7B	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES 文件：981.35 Kbytes 页数：59 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S32200E-7BL	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES 文件：981.35 Kbytes 页数：59 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S32200E-7BLI	文件：981.35 Kbytes Page：59 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM OVERVIEW ISSIs 64Mb Synchronous DRAM IS42/45S32200E is organized as 524,288 bits x 32-bit x 4-bank for improved performance. The synchronous DRAMs achieve high speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input. GENERAL DES 文件：981.35 Kbytes 页数：59 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS42S32200E-7BL-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
64Mb（2M x 32）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
90-TFBGA
供应商器件封装：
90-TFBGA（8x13）
描述：
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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