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IS42S32200B-6TLI	文件：537.88 Kbytes Page：56 Pages	512K Bits x 32 Bits x 4 Banks (64-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas2,048rowsby256columns	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200B-6T	文件：537.88 Kbytes Page：56 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas2,048rowsby256columns	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200B-6TI	文件：537.88 Kbytes Page：56 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas2,048rowsby256columns	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS42S32200B-6TL	文件：537.88 Kbytes Page：56 Pages	512KBitsx32Bitsx4Banks(64-MBIT)SYNCHRONOUSDYNAMICRAM GENERALDESCRIPTION The64MbSDRAMisahighspeedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydesignedtooperatein3.3Vmemorysystemscontaining67,108,864bits.Internallyconfiguredasaquad-bankDRAMwithasynchronousinterface.Each16,777,216-bitbankisorganizedas2,048rowsby256columns	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS42S32200B-6TLI
制造商：
Integrated Silicon Solution Inc
功能描述：
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

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