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IS42S32160D-6BLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

IS42S32160D-6BLI
厂商型号

IS42S32160D-6BLI

参数属性

IS42S32160D-6BLI 封装/外壳为90-TFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

功能描述

16Mx32, 32Mx16, 64Mx8 512Mb SDRAM

封装外壳

90-TFBGA

文件大小

1.57007 Mbytes

页面数量

66

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSI北京矽成

中文名称

北京矽成半导体有限公司官网

原厂标识
ISSI
数据手册

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更新时间

2025-8-4 19:00:00

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IS42S32160D-6BLI规格书详情

FEATURES

• Clock frequency: 200, 166, 143 MHz

• Fully synchronous; all signals referenced to a

positive clock edge

• Internal bank for hiding row access/precharge

• Power supply: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V

IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V

IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5

• LVTTL interface

• Programmable burst length

– (1, 2, 4, 8, full page)

• Programmable burst sequence:

Sequential/Interleave

• Auto Refresh (CBR)

• Self Refresh

• 8K refresh cycles every 64 ms

• Random column address every clock cycle

• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)

• Burst read/write and burst read/single write

operations capability

• Burst termination by burst stop and precharge

command

• Packages:

x8/x16: 54-pin TSOP-II, 54-ball TF-BGA (x16 only)

x32: 90-ball TF-BGA

• Temperature Range:

Commercial (0oC to +70oC)

Industrial (-40oC to +85oC)

Automotive, A1 (-40oC to +85oC)

Automotive, A2 (-40oC to +105oC)

产品属性

  • 产品编号:

    IS42S32160D-6BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    512Mb(16M x 32)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    90-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    90-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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