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IS42S16800D-6TLI	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized as follows. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully synchronous; all signal 文件：567 Kbytes 页数：62 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16800D-6B	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized as follows. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully synchronous; all signal 文件：567 Kbytes 页数：62 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16800D-6BL	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized as follows. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully synchronous; all signal 文件：567 Kbytes 页数：62 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS42S16800D-6T	文件：567 Kbytes Page：62 Pages	16Meg x 8, 8Meg x16 128-MBIT SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs 128Mb Synchronous DRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture. All inputs and outputs signals refer to the rising edge of the clock input.The 128Mb SDRAM is organized as follows. FEATURES • Clock frequency: 166, 143, 133 MHz • Fully synchronous; all signal 文件：567 Kbytes 页数：62 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS42S16800D-6TLI
功能描述：
动态随机存取存储器 128M 8Mx16 166Mhz
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

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