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IS42S16320B-75ETL	文件：913.2 Kbytes Page：61 Pages	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs512MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The512MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysynchronous;	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS42S16320B-75ETL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS42S16320B-75ETLI	文件：913.2 Kbytes Page：61 Pages	64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM OVERVIEW ISSIs512MbSynchronousDRAMachieveshigh-speeddatatransferusingpipelinearchitecture.Allinputsandoutputssignalsrefertotherisingedgeoftheclockinput.The512MbSDRAMisorganizedasfollows. FEATURES •Clockfrequency:166,143,133MHz •Fullysynchronous;	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS42S16320B-75ETLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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产品属性

产品编号：
IS42S16320B-75ETL
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
512Mb（32M x 16）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
54-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
54-TSOP II
描述：
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

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