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IS42S16160D-6BLI-TR

Package:54-TFBGA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42S16160D-6T

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.05062 Mbytes 页数:63 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S16160D-6TI

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.05062 Mbytes 页数:63 Pages

ISSI

矽成半导体

IS42S16160D-6TL

32Meg x 8, 16Meg x16 256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

文件:1.05062 Mbytes 页数:63 Pages

ISSI

矽成半导体

产品属性

  • 产品编号:

    IS42S16160D-6BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    256Mb(16M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    54-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    54-TW-BGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISSI
23+
54-TFBGA(8x13)
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS42S16160D-6BLI-TR供应商 更新时间2025-11-19 16:31:00