IS42S16100E-7BLI_集成电路(IC) 存储器-北京矽成

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原厂料号:IS42S16100E-7BLI品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

资料说明:IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

IS42S16100E-7BLI是集成电路(IC) > 存储器。制造商ISSI/北京矽成生产封装60-TFBGA的IS42S16100E-7BLI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    is42s16100e-7bli

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    ISSI【北京矽成】详情

  • 厂商全称:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名称:

    北京矽成半导体有限公司

  • 资料说明:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IS42S16100E-7BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM

  • 存储容量:

    16Mb(1M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(6.4x10.1)

  • 描述:

    IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

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