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IS41LV16257B-35T	文件：129.47 Kbytes Page：20 Pages	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16257B is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes these devices 文件：129.47 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16257B-35TL	文件：129.47 Kbytes Page：20 Pages	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16257B is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes these devices 文件：129.47 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16257B-35K	文件：129.47 Kbytes Page：20 Pages	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16257B is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes these devices 文件：129.47 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS41LV16257B-35KL	文件：129.47 Kbytes Page：20 Pages	256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE DESCRIPTION The ISSI IS41LV16257B is 262,144 x 16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Fast Page Mode allows 512 random accesses within a single row with access cycle time as short as 12 ns per 16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte, makes these devices 文件：129.47 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS41LV16257B-35T
功能描述：
动态随机存取存储器 4M 256Kx16 35ns
RoHS：
否
制造商：
ISSI
数据总线宽度：
16 bit
组织：
1 M x 16
封装/箱体：
SOJ-42
存储容量：
16 MB
访问时间：
50 ns
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 1 V
最大工作电流：
90 mA
最大工作温度：
+ 85 C
封装：
Tube

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